工藝技術和應用條件上的區別使得目前市場上的清洗設備也有明(顯)的差異化，目前，市場上主要的清洗設備有單晶圓清洗設備、自動清洗臺和洗刷機三種。在21世紀致今的跨度上來看，單晶圓清洗設備、自動清洗臺、洗刷機是主要的清洗設備。單晶圓清洗設備一般是指采取旋轉噴淋的方式，用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備，相對自動清洗臺清洗效率較低，產能較低，但有著極高的制程環境控制能力與微粒去除能力。自動工作站，也稱槽式全自動清洗設備，是指在化學浴中同時清洗多個晶圓的設備優點是清洗產能高，適合大批量生產，但無法達到單晶圓清洗設備的清洗精度，很難滿足在目前(頂)尖技術下全流程中的參數要求。并且，由于同時清洗多個晶圓，自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉噴淋的方式，但配合機械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調節模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中， 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環節中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

       單晶圓清洗設備與自動清洗臺在應用環節上沒有較大差異，兩者的主要區別在于清洗方式和精度上的要求，以45nm為關鍵分界點。簡單而言，自動清洗臺是多片同時清洗，的優勢在于設備成熟、產能較高，而單晶圓清洗設備是逐片清洗，優勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前，自動清洗臺即可以滿足清洗要求，在目前仍然有所應用；而在45以下的工藝節點，則依賴于單晶圓清洗設備達到清洗精度要求。在未來工藝節點不斷減小的情況下，單晶圓清洗設備是目前可預測技術下清洗設備的主流。
       plasma等離子清洗機適用于對原料和半成品每一步可能存在的雜質進行清洗，以避免雜質影響產品的質量和下游產品的性能，等離子清洗設備對于單晶硅的生產、光刻、刻蝕、沉積等關鍵工藝以及封裝工藝中的使用情況。
       銅引線框架經等離子清洗機處理后，可除去有(機)物和氧化層，同時活(化)和粗化表面，保證打線和封裝的可靠性。引線連接引線采用plasma等離子清洗機能有效地清(除)污垢，使鍵合區表面粗糙度增大，可明(顯)提高引線的粘接力，大大提高封裝器件的可靠性。
       倒裝片封裝技術隨著倒裝片封裝技術的發展，plasma等離子清洗機已經成為提高其產量的必要手段。采用plasma等離子清洗機處理芯片及封裝載板，不僅可獲得超純化的焊面，而且可大大提高焊面活性，有效防止虛焊，減少焊縫空洞，提高焊縫邊緣高度和包覆性，提高封裝的機械強度，減小由于不同材料熱膨脹系數造成的焊縫間的內剪力，提高產品的可靠性和壽命。
       陶瓷封裝在陶瓷封裝中，常用金屬漿的印制線路板作為粘合、封蓋的密封區域。電鍍前先用plasma等離子清洗機清洗這些材料表面的Ni、Au，可以清(除)有(機)物中的鉆污物，顯著提高鍍層質量。
       晶片光刻膠去除傳統的化學濕法去除晶片表面光刻膠存在反應不能準確控制，清洗不徹底，易引入雜質等缺點。plasma等離子清洗機控制能力強，一致性好，不但能完(全)去除光刻膠和其它有(機)物，而且能活(化)、粗化晶片表面，提高晶片表面的浸潤性。