為什么crf電漿清洗機(jī)處理須要真空環(huán)境下，其原理是什么？
       crf電漿清洗機(jī)須要引進(jìn)真空環(huán)境的原因很多，但實(shí)質(zhì)上，具體有好幾個(gè)因素:引進(jìn)真空室的氣體在壓力環(huán)境中不會(huì)電離，在充入氣體電離產(chǎn)生plasma之前必須達(dá)到真空環(huán)境。此外，真空環(huán)境允許我們控制真空室中的氣體類型，并控制真空室中氣體類型對(duì)等離子體處理過程的可重復(fù)性至關(guān)重要。

        要進(jìn)行crf電漿清洗機(jī)處理產(chǎn)品，首先我們要產(chǎn)生plasma。首先，將單一氣體或混合氣體引進(jìn)密封的低壓真空plasma室。然后兩個(gè)電極板之間產(chǎn)生的射頻(RF)激活，這些氣體中激活的離子加速，開始振動(dòng)。這種振動(dòng)。“用力擦洗”材料表面的污染物須要清洗。在處理過程中，plasma中激活的分子和原子會(huì)發(fā)出紫外線，從而引發(fā)plasma的光。溫度控制系統(tǒng)通常用于控制蝕刻率。對(duì)溫度敏感的部件或部件的plasma蝕刻溫度可控制在15攝氏度。我們所有的溫度控制系統(tǒng)都已預(yù)先編程并集成到plasma系統(tǒng)的軟件中間。設(shè)置一個(gè)保存每個(gè)等離子體處理的程序，以便輕松地復(fù)制處理過程。
       不同的氣體可以引進(jìn)plasma室來改變處理過程。常用的crf電漿清洗機(jī)包括02、N2、Ar、H2和CF4。世界各地的大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室基本上都使用這五種氣體單獨(dú)或混合進(jìn)行crf電漿清洗機(jī)處理。