決定鉆石形核的要素包括等離子體的影響：
一、基體數(shù)據(jù)
       由于形核取決于基體表面碳的飽和度和到達(dá)核心的臨界濃度，因此，基體數(shù)據(jù)的碳分散指數(shù)對(duì)形核具有重要影響。分散性指數(shù)越大，就會(huì)越不容易達(dá)到成核需要的臨界濃度，鐵、鎳、鈦等金屬基體直接在這類數(shù)據(jù)上進(jìn)行成核是非常困難的；而對(duì)于較低碳分散性系數(shù)的數(shù)據(jù)，如鎢、硅等，鉆石可以快速成核。
二、表面磨削
       一般金剛石的形核都能通過(guò)金剛石粉末對(duì)表面磨削而推進(jìn)。利用SiC,c-BN,Al2O3等數(shù)據(jù)進(jìn)行的研磨也能促進(jìn)形核的形成。磨削能促進(jìn)形核形成的機(jī)理主要有兩點(diǎn)：一是經(jīng)過(guò)磨削，金剛石微粉的碎屑留在基體表面，起到晶種作用；二是磨削能在基體表面產(chǎn)生許多微小的缺陷，這些缺陷是自發(fā)形核的有利方向。研磨數(shù)據(jù)的格點(diǎn)常數(shù)越接近金剛石，增強(qiáng)形核的效果就越好，因此，一般的研磨數(shù)據(jù)都是用高溫高壓法制備的金剛石微粉。

三、等離子體參數(shù)
        在金剛石形核早期，由于碳向基體的分散，在基體表面形成了界面層，因此研討指出了等離子體參數(shù)對(duì)界面層也有重要影響，例如，當(dāng)硅基體表面堆積金剛石膜時(shí)，甲烷濃度對(duì)SiC界面層的形成有直接影響。
四、偏壓增強(qiáng)形核
       在微波等離子體化學(xué)氣相堆積中，基體一般都是加負(fù)偏壓，也就是說(shuō)，基體的電位與等離子體的低電位有關(guān)。負(fù)偏壓的作用是使基底表面離子濃度增加。偏壓太高時(shí)，由于過(guò)多離子對(duì)基體外層和前驅(qū)核的濺射，形成了捺形核，因此在偏壓增強(qiáng)形核時(shí)，偏壓的大小更合適。