等離子體設備在不破壞晶圓片及其它材料的接觸面特性、熱學特性和電氣特性的前提下，進行的清洗，對半導體元器件的功能性、牢固性、集成度等方面都很重要，否則極大地（降）低產品良品率，阻礙半導體元器件的更進一步突破。

一、等離子體設備清洗的基本技術原理
1、在密閉真空腔中，通過不斷抽真空泵，使壓力值逐漸減小，真空度增大，分子間的間距增大，分子間作用力變小，利用等離子發生器所產生的高壓交變電場將氬氣、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發、振蕩變成高反應活性或高能量等離子體，并與有(機)污物及微顆粒物污物反應或觸碰變成揮發性氣體，可以起到接觸面的清潔、（活）化、刻蝕等目的；
2、等離子清洗不會破壞處理過的材料或產品固有的特性，僅改變接觸面(納)米級的厚度，即將清洗過的材料或產品接觸面上的污物除去，分子鍵打開后極微小的結構變化，變成一定的粗糙度或者在接觸面產生親水性的原子團基，使金屬焊接的牢固性增強，兩種材料間的粘合力提高等，可以延長產品的使用年限。

二、根據其反應類型，半導體封裝的等離子清洗可以分為三類
a、清洗物理反應：利用氬氣等惰性氣體很容易不與其它氣體發生反應，離子質量較重，對材料接觸面進行物理轟擊，(清)除污物或打斷高分子鍵結，變成微結構粗糙面；
如：氬氣+e-→氬氣++2e-氬氣++沾污→揮發性污染，氬氣+在自偏壓或外偏壓作用下加速產生動能，然后轟擊放置于負極的清潔工件接觸面，一般用來除去氧化物、環氧樹脂外溢或微粒污物，同時進行接觸面(活)化。
b、化學反應清洗：利用活性氣體如H2、O2的特性，使之發生還原反應或變成活性官能團，進行接觸面改性，提高親水性等；
如1:O2+e-→2O*+e-O*+有(機)物→CO2+H2O。
由反應式可見，氧氣等離子體通過化學反應將非揮發性有(機)物轉化為易揮發的H2O和CO2。
如2:H2+e-→2H*+e-H*+非揮發性金屬氧化物→金屬+H2O；實驗結果表明，氫等離子體可通過化學反應除去金屬表面的氧化層，并對其進行的清潔。
c、物理化學反應的清洗：按需通入兩種組合的工藝氣體，例如氬氣、H2混合氣，其選擇性、清洗性、均勻性和方向性都很好。
       以上關干IC封裝等離子體設備的基本技術原理介紹清楚了嗎？你還有什么疑問或更好建議可以發信息與小編交流學習。如果您對等離子清洗機有興趣或想了解更多詳細信息，感謝點擊誠峰智造的在線客服咨詢，或直接撥打統一服務熱線13632675935,CRF恭候您的來電！